Ellära begrepp

Maximal effekt erhålles när belastningens resistans är lika med Théveninekvivalensen resistans

Formell för resistans, konduktans ρ*l/A, l/(σ*A)

Strömtäthet J= i/A

2 sladdar med ledningar emellan (tågräls) kan modelleras som (serie/parallel) kopplade resistorer parallel

Ström konduktans: i(t)= C*(dv/dt)

Spänning induktans: v(t)= L*(di/dt)

För små tider ersätts kondensatorer med, induktanser med kortslutningar, avbrott

För stora tider ersätts kondensatorer med, induktanser med avbrott, kortslutningar

Z impedans, Im(Z)>0 => induktiv

Z impedans, Im(Z)<0 => kapacitiv

Topvärde av v(jw)= |v(jw)|

Transmissionsledning av kvartvåglängd, Zl avslutar, Z0 karekteristisk impedans: Z(0)= (Z0)^2/Zl

Transmissionsledning av kvartsvåglängd => βl= π/2

Våglängd, ε=permativitet, c=ljusets hastighet. λ= c/sqrt(ε)

Kortslutent ledning, Zl=, Γ= 0, -1

Öppen ledning, ZL=, Γ= oo, 1

NMOS: Vin= Vgs

XX in i OP-förstärkaren är noll strömmen

Ideal OP: Förstärkning A=, Ingångsresistans Rin=, Utgångsresistans Rut= oo, oo, 0

I en negativ återkopplad OP-förstärkare är spänningsfallet XX (sifra) över ingången 0

Toppvärde= sqrt(2)*effektivvärde

En ideal diod kan ej led ström när en (positiv/negativ) spänning är över den negativ

När man nollställer innebär detta för (dock ej styrda): spänningskälla, strömkälla kortslutning, avbrott

E-fältet är alltid XX mot ytorna på en metal vinkelrät

'=>vektor. dr'= r*er'

|H(jw)|dB= 20*log|H(jw)|

Till decibel: sqrt(2)~, 1/sqrt(2)~, 1= 3, -3, 0

Effekt P= (V och I) V*I

Strömmen genom gaten i transistorn ig~ 0

Vid ett småsignal schema jordas XX och kapacitanser YY. likspänningskällor, kortsluts

Klicka